该公司声称，这将为高端PC、移动、企业和数据中心系统的下一代产品打开更多行业领先的EUV流程节点的“大门”。据说三星在DRAM生产中采用了EUV制造工艺，以克服DRAM扩展的挑战。

DRAM产品和技术执行副总裁Jung-bae Lee表示：“这一重大进展凸显了我们将如何通过及时为高端内存市场开发高端技术和下一代内存产品，继续为全球IT创新做出贡献。在三星电子。

EUV制造减少了多个图案中的重复步骤，同时还提高了图案精度，从而带来更高的产量、更高的性能和更短的开发时间。三星表示，EUV制造将全面部署在其下一代动态随机存取存储器产品中，这将从其第四代10纳米(D1a)或14纳米先进动态随机存取存储器开始。

三星也有望在2021年开始大规模生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，这将使12英寸D1x晶圆的生产效率提高一倍。此外，为了进一步满足行业对下一代先进DRAM日益增长的需求，三星预计将于今年晚些时候在韩国平泽的工厂开设第二条半导体生产线。

KitGuru表示：由于行业各个领域对下一代芯片的需求不断增加，三星正在加速其制造工厂的EUV生产，以在不久的将来加速向DDR5和LPDDR5的过渡。