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真我GT2大师探索版已定于7月12日正式发布，realme副总裁徐起曾暗示，这次大探2带来了不少全球领先的首发技术，让很多网友很是期待。

今日，真我官方带来真我GT2大师探索版的新消息，该机将采用真我手机史上最强散热双VC冰芯散热MAX。

据介绍，这套散热方案有别于常规的单面传导，采用三明治立体双VC结构，VC面积高达4811m㎡，宣称散热堪比游戏手机。

今早，真我官宣，真我GT2大师探索版内置全球首发的LPDDR5X芯片，这相比上一代LPDDR5存储芯片，在保持高速传输的同时，功耗降低20%。

此外，该机将搭载高通骁龙8+旗舰处理器，配备120Hz超窄天际屏，侧边宽度仅为1.48mm，该机还采用COP封装工艺，将下巴缩短至2.37mm，使得屏占比高达94.2%。

真我GT2大师探索版在设计上也下了大功夫，由国际著名潮流设计师Jae Jung主理设计，硬箱造型的直角金属中框，背面采用环保素皮，并且还有金属铆钉装饰，辨识度拉满。

相信这款质感旗舰还会有更多的首发技术，等待官方为我们揭晓。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。