三星宣布已成功开始制造其首款3纳米(3nm)架构芯片，预计将在2023年成为消费者处理能力的前沿。OEM已经声称其第一代3nm硅能够与5nm的前身相比，性能提高了20%以上，此外，能效提高了约50%。

三星终于正式实现了向3nm的飞跃，声称已在其电子部门位于韩国的华城园区成功生产出第一批用于这种下一代架构芯片的晶圆。3nm被广泛吹捧为最新处理器的自然升级，例如AppleA15Bionic或QualcommSnapdragon8Gen1。

三星的突破使其在全面3nm量产的竞赛中领先于竞争对手台积电。OEM现在还确认，这将基于其内部的MBCFET来完成，MBCFET是一种获得专利的环栅场效应晶体管(GAAFET)。

MBCFET使用“纳米片”工艺技术生产，据三星称，与迄今为止的5nm对应物相比，最终产品的表面积减少了16%。该统计数据可能会设置3nm以提高产量;然而，实际的客户和用户可能对最初声称的性能更感兴趣，这些性能可能比旧节点高出23%，同时使用的能量最多可减少45%。

此外，这仅适用于第一代3nm，三星现在还预计性能和能效分别提高35%和+50%，同时与5nm相比，其表面积进一步缩小至35%。

尽管有这些潜在优势，OEM承认升级到3nm可能会使最终的芯片设计和集成对其潜在客户更加困难和复杂。

为此，该公司实施了三星先进代工生态系统(SAFE)，这是一种与Synopsys、西门子、Cadence和Ansys等合作伙伴共同开发的基础设施解决方案，旨在为将未来基于3nm的设备推向市场迈出终极步伐。