行业领先的内存解决方案Kioxia Corporation宣布成功研发出第五代BiCS FLASH 3D闪存，拥有112层垂直堆栈结构。Kioxia计划在今年第一季度开始销售这款新设备的样品，其容量为64 GB(512 GB)，并针对特定应用使用3位单位(或TLC)技术。

Kioxia公司宣布，他们已经开发了第五代BiCS Flash 3D存储器，具有112层垂直堆栈结构。

这款新设备旨在满足不断增长的各种应用需求，包括传统移动设备、消费和企业固态硬盘、新5G网络支持的新兴应用、人工智能和自动驾驶汽车。Kioxia计划将这种新一代(第五代)处理技术应用于更大的设备，例如1兆位或128千兆字节，以及每单元4位的33兆位(或四级单元，QLC)设备。

这种112层堆叠技术结合了先进的电路和制造技术，与96层堆叠技术相比，电池阵列密度提高了约20%。新技术降低了成本，提高了每个硅片存储容量的可制造性；这项新技术还将接口速度提高了50%，并提供了更高的编程性能和更短的读取延迟。

这一代BiCS Flash产品是与技术和制造合作伙伴西部数字公司联合开发的，将在Kioxia的Yokkaichi工厂和新建的Kitakami工厂生产。

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Kixia是内存解决方案的全球领导者。Kixia一直致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。2017年，Kioxia的前身东芝内存从1987年发明NAND闪存的东芝公司分离出来。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统，为人们提供精选产品，从而改善存储世界。以及基于记忆的客户社会价值。Kixia创新的3D闪存技术BiCS Flash是Kixia一直在开发和推广的一种内存。因此，BiCS闪存正在塑造高密度应用中存储的未来。包括不断发展的智能手机、个人电脑、固态硬盘和数据中心。