预计2020年NAND闪存价格将攀升。从制造到96层3D NAND的过渡，不会随着需求的增加而快速提高比特良率。这将是NAND供过于求的重大变化，将导致2018年和2019年价格暴跌。

控制器供应商群联打赌，价格上涨最终将推动消费级固态硬盘市场进入每单元4位QLC NAND闪存。到目前为止，它在零售固态硬盘市场只取得了有限的成功，很少有个人电脑原始设备制造商采用它。在所有细分市场中，每单元3位TLC NAND的SSD价格溢价较小或不存在，因此坚持TLC NAND的性能和耐用性优势是值得的。那些日子可能即将结束。群联合理预期，当NAND闪存供应有限时，制造出来的NAND大部分会被高薪企业SSD客户抢占，这或多或少会迫使消费级SSD市场转向QLC作为产品。选择主流。

为了准备这一过渡，群联正在确保其完整的控制器产品组合可以与QLC与非门一起使用。这意味着需要调整控制器固件，以充分利用TLC与非门的较低性能。特别是对于OEM市场，他们还必须更新纠错功能无法满足QLC低耐用性5年保修的旧控制器。

与我们在闪存峰会后的报告相比，群联的硬件路线图没有太大变化。这些控制器的销售方式正在发生变化。当与QLC NAND配对时，群联采取了非同寻常的步骤来公布其大多数固态硬盘控制器的性能规格，而不是坚持使用基于薄层色谱的数字来更好地显示其控制器。不幸的是，我们仍然获得的数据主要基于高队列深度的测试，并且持续时间足够短，以至于SLC缓存主要是要测量的内容。

当与QLC NAND一起使用时，群联的高端NVMe控制器将使用全范围动态SLC缓冲区大小，这与我们在最近的Silicon Motion控制器中看到的类似，但与现有的基于TLC的群联NVMe驱动程序有很大不同，后者显示了固定大小的SLC小缓存。最大化SLC缓存的大小可以降低普通消费者在使用缓存时耗尽缓存的概率，但这样做的代价是缓存满了时会遭受更大的性能损失：需要将更多的SLC数据压缩到TLC/QLC中，在后台压缩并同时处理主机IO命令时使用更少的空闲TLC/QLC。在使用QLC NAND时，这种权衡是最有意义的，因为无论SLC缓存有多大，一旦SLC缓存耗尽，速度都会非常慢。