日本半导体制造商ROHM宣布超级紧凑

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据外媒报道，日本半导体制造商ROHM宣布推出超紧凑型1.6 x1.6 mm RV4xxx系列MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)产品，可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准AEC-Q101，即使在极端工况下也能保证汽车的可靠性和性能。此外，产品采用了Roma独有的封装加工技术，有助于实现ADAS摄像头模组等汽车电子设备的小型化。

近年来，汽车上安装了越来越多的ADAS摄像头等汽车安全便利系统。然而，由于安装空间的限制，对较小部件的需求越来越大。为了满足这一需求，在保持大电流的前提下，有望进一步小型化的底部电极封装MOSFET引起了人们的关注。然而，对于汽车应用，需要光学检测来确保装配过程中的质量。但是，对于底部电极封装组件，安装后无法验证焊料的高度，因此很难确定安装条件。

但这一次，Roma采用独特的可湿性侧翼成型技术，确保了封装侧电极部分的高度(130 m)符合汽车应用，从而确保了底部电极组件的焊接质量保持一致，产品安装后的自动检查机可以轻松验证安装后的焊接情况。

关键特征

1.专有的可湿性侧翼技术确保封装的测量电极部分的高度为130米

Roma的可湿性侧面成型技术是一种在封装侧面的引线框架上增加切割，然后电镀的技术。然而，引线框的高度越高，越容易产生毛刺。因此，Roma开发了一种独特的方法，在引线框架的整个表面设置阻挡层，以减少毛刺，不仅可以防止组件在安装过程中倾斜和焊接不良，还可以作为DFN1616(1.6 x1.6 mm)封装产品，这是业界第一个确保封装侧电极部分高度为130 m的产品。

2.底部电极紧凑的MOSFET可以减少安装面积。

近年来，肖特基势垒二极管(SBD)被广泛应用于ADAS相机模组的反接保护电路中。然而，由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更多的电流，SBD正越来越多地被紧凑型金属氧化物半导体场效应晶体管所取代，因为金属氧化物半导体场效应晶体管的导电电阻低，产生的热量少。

比如电流为2.0A，功耗为0.6W时，传统汽车MOSFET的安装面积比SBD少30%。而且底部电极封装的MOSFET散热更好，不仅可以实现小型化，还可以实现大电流。因此，与传统SBD相比，其安装面积可减少78%，与普通MOSFET相比，其安装面积可减少68%。

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